Simoneflash内存条与ddr的区别
的有关信息介绍如下：区别1：不同的功耗和发热：flash闪存模块消耗大量的功耗，DDR在成本控制的基础上降低了能耗和发热。
区别2：工作频率较高：flash存储模块能耗较高。由于降低了能耗，DDR可以获得更高的工作频率，在一定程度上弥补了延迟时间较长的缺点。
区别3：数据处理不一样：闪存模块数据删除不是基于单个字节，而是基于固定块。块大小通常为256Kb到20MB，闪存是一种电子可擦除只读存储器（EEPROM）。DDR内存颗粒大羡敬多为16M X 32bit，搭配中高端属显卡常用的128MB显存便需8颗较为合适。
区别4：通用性不同：闪存模块广泛应用于大多数电子设备中。由于DDR的针脚和封装等关键特性没有改变，所以显卡的显示核心和公共版本设计相对高端，也比较少见。
在嵌入式系统中，内存（SDRAM或DDR）可以作为文件系统的存储介质。当存储器断电时，它不能保持原始数据不变。因此，基于内存的文件系统只能是临时文件系统，可以用来保存临时文件，而不是需要永久记录的文件。其优点是内存中只有动态变化，系统不会产生垃圾。
目前内存中常用的SDRAM和DDR-SDRAM。使用SDRAM需要CPU提供SDRAM接口控制器。使用DDR-SDRAM需要CPU提供DDR-SDRAM接口控制器。两者最大的区别是DDR-SDRAM至少比SDRAM快一倍，意味着如果读取一个文件需要两秒钟，那么使兄运慎用DDR可能需要不到一秒钟的时间。
Flash是嵌入式系统中最常用的文件系统存储介质。nor和NAND有两种类型。也悄悔不能直接读取flash，但写入是通过块而不是字节完成的。而不是直接写，它需要由命令控制；NAND flash也就是说，它不允许直接读写。读写都是通过块来完成的，需要通过命令来控制。
相比之下，nor的读取速度比NAND快，NAND的单位密度也比nor高，即单个IC NAND flash可以有4GB（字节）的存储空间，nor flash最多只能有1GB（位）。NAND flash通常有坏块，所以文件系统的设计比较复杂（坏块需要处理）。应该注意的是，关闭闪存电源可以防止文件丢失。
